業界最先端のフラッシュ・メモリ・チップから高い信頼性と性能を引き出す

ストレージ、データ・セン ター、モバイル・ネットワークを高速化する半導体とソフトウェアのリーディング・プロバイダであるLSI Corporation (以下LSI) は、最先端のフラッシュ・ストレージ・プロセッサとして市場から高い評価を受けているSandForce® SF-2000 Flash Storage Processors (FSP) で、SSDアプリケーション向けのフラッシュ・メモリ・テクノロジーとしては最先端となる東芝製19nm NANDフラッシュ・メモリおよびインテル製20nm NANDフラッシュ・メモリとの組み合わせにおいて、SSDの動作確認に成功したことを発表しました。

LSIのSandForce FSPはクラス最高の性能、信頼性、耐久性、および電力効率を実現する、NANDフラッシュSSD専用のフラッシュ・メモリ・プロセッサであり、様々な SSD製品に採用されています。LSIはSSDメーカーの価格競争力を高め、短期間での製品の市場投入を可能にするソリューションを提供し、クラウド・コ ンピューティング、エンタープライズ・アプリケーション、およびクライアント・アプリケーションを対象に、フラッシュ・ストレージの拡大に努めてきまし た。なお、クライアント・マーケットおよびエンタープライズ・マーケットにおけるSSDの出荷台数は2015年には1億台を超えると見込まれており、これ は2011年の出荷規模に比べて56%を超える成長率に相当します (1)。

Objective Analysis社でSSDアナリストを務めるJim Handy氏は次のように述べています。
「SSDユーザは フラッシュ・メモリの微細化が進むにつれて製品の価格は大幅に下がるだろうと期待していますが、ほとんどのSSDコントローラは複雑化する新たなNAND フラッシュ・メモリをサポートできていないのが実態です。今回、LSIのSandForce FSPと、現時点で最も微細なNANDフラッシュ・メモリとの組み合わせ動作が確認されたことで、クラウド・コンピューティング、エンタープライズ・アプ リケーション、そしてクライアント・アプリケーションの全てのマーケットで、メイン・ストレージやI/Oインテンシブなデータ・ストレージとして、フラッ シュ・メモリをより低コストで導入できるようになっていくと考えられます」。

フラッシュ・メモリの微細化が進むにつれて、クラス最高レベルのエラー訂正機能が一層重要になってきています。その理由は各メモリ・セルが必要 なレベルの電荷を保持することが難しくなっているためで、結果として、フラッシュ・デバイスの信頼性、データ整合性 (インテグリティ)、あるいはデータ保持特性の悪化を招いてしまいます。19nmおよび20nmプロセスで製造されるフラッシュ・ストレージの信頼性と耐 久性を高めるためにLSIでは、SandForce SF-2000 FSPに512バイト・セクタあたり最大55ビットのエラー訂正機能を実装しています。そのため、エンタープライズ・マーケットとクライアント・マーケッ トの両方をサポートするプロセッサとして理想的です。このように、現在のみならず将来の最先端NANDフラッシュ・テクノロジーの要件に対応できる独自の エラー訂正エンジンを搭載している点が、LSI SandForceの特長のひとつになっています。

LSIのフラッシュ部品部門でバイス・プレジデント兼ジェネラル・マネージャーを務めるマイケル・ラーム (Michael Raam) は次のように述べています。

「LSIでは、SandForce FSPがシリコンのさらなる微細化に対応できるように、NANDフラッシュ・テクノロジーで業界をリードする6社との協業を進めています。SSDは現在、 信頼性、寿命、および高い電力効率が評価され、クラウド・コンピューティングのほか、Fortune 1000企業のミッション・クリティカルなコンピューティング環境にも採用されており、こうした特性がさらに認知されるにつれて、SSDの応用範囲はます ます拡大していくと期待されます」。

微細化にかかわらずフラッシュ・デバイスに高い信頼性と耐久性を求めるユーザ・ニーズに応えるために、SandForce FSPには「DuraClass®」という最先端のNANDフラッシュ・マネージメント・テクノロジーが搭載されています。

DuraClassマネージメント機能の主な特長は次のとおりです。

• DuraWrite™: フラッシュのプログラミング・サイクルを最適化して、フラッシュの定格寿命を効率的に延ばす機能です。
• RAISE™ (Redundant Array of Independent Silicon Elements): ドライブの信頼性を飛躍的に高める機能で、シングル・ドライブ・ソリューションでありながら、RAIDに匹敵するデータ保護性能とリカバリ機能を実現しま す。
• アドバンスト・ウェア・レベリングおよびモニタリング: ウェア・レベリング・アルゴリズムの最適化をはかり、フラッシュの耐久性をさらに高めています。
• Recycler: フラッシュの耐久性に与える影響を最小限に抑えながら、ガベージ・コレクションをインテリジェントに実行して、無効データを消去する機能です。

LSI SandForce FSPの詳細についてはwww.lsi.com/sandforce (英語) にて提供しています。

1. IDC, “IDC WW SSD 2011-2015 Forecast Update”, March 2012.   

LSI Corporationについて:

LSIはストレージ、データ・センター、モバイル・ネットワークを Accelerate = 高速化する、半導体とソフトウェアによるソリューションを提供しています。今日の非常に高度化されパフォーマンスを必要とするアプリケーションにとって、 LSIのテクノロジーはインテリジェンス・クリティカルであり、パートナー企業の様々なソリューションに採用されています。LSI Corporationは本社を米国カリフォルニア州ミルピタス市に構えています (1621 Barber Lane, Milpitas, CA95035 URL: http://www.lsi.com )。

また、同社の日本法人であるLSIロジック株式会社は、東京都港区にオフィスを構えています
(〒108-0075東京都港区港南4-1-8リバージュ品川 14F URL: http://www.lsi.com/japan )。

【問い合わせ先】 

 LSI ロジック株式会社 株式会社井之上パブリックリレーションズ
 〒 108-0075 〒 160-0004
 東京都港区港南4-1-8  リバージュ品川 14F 東京都新宿区四谷4-34新宿御苑前アネックス6F
 電話: 03-5463-7123    FAX: 03-5463-7820 電話: 03-5269-2301    FAX: 03-5269-2305
 E-mail: kazuya.hata@lsi.com E-mail: suzuki@inoue-pr.com / m-litwin@inoue-pr.com
 担当: 秦 和哉 LSIロジック広報担当: 鈴木孝徳 / マイク・リットウィン